トラッキングエリプソメータ

MoからSiへの切り替え点付近の200ms毎の実測値
トラッキングエリプソメーターの0.1Åの感度が明らかである

発明者 東北大学多元物質科学研究所
超顕微計測光学研究センター長
山本正樹教授 御提供 （Thin Solid Films に投稿）

半導体デバイスの微細化技術は、紫外光源を使用する露光装置から、極紫外光源を使用する極紫外リソグラフィ（EUVL）へと次々世代の開発が進められています。光源の波長は13nmの極紫外（EUV）を用いることが検討されています。しかし、一般的な光学材料はこの波長域では光を吸収し透過しません。また屈折率が1に近いため屈折せず、レンズを用いた光学系は使用できません。そのため反射による光学系が必要になります。この反射鏡面は極紫外光（EUV）でも高い反射率が得られるように、MoとSiの薄膜を交互に多層積層させる研究が進められています。この成膜は、イオンビ－ムスパッタ法等により行われ、多層膜の各一層毎の厚さを同じにするため、厚さ誤差を極小にする膜厚制御の精度が厳しく求められます。
本装置はこのイオンビ－ムスパッタ成膜装置に取り付け、膜厚の増加を100msec間隔でリアルタイムに測定し、膜厚の制御を高速・高精度に行います。本基本技術は(株)東北テクノアーチ様との独占的実施権許諾のライセンスにもとづいて製造しております。